典型文献
基于TCAD仿真建模的瞬时剂量率效应研究
文献摘要：
针对一款百万门级0.18μm互补金属氧化物半导体(0.18μm CMOS)工艺抗辐射加固的微处理器电路,提出了采用TCAD仿真建模技术对加固电路开展瞬时剂量率效应研究的方法,仿真结果表明通过保护环结构加固设计,可有效提升电路的抗瞬时剂量率效应性能,并利用瞬时剂量率辐射源进行了仿真有效性的试验验证.结果表明,采用TCAD仿真手段得到的瞬时光电流峰值与试验得到的光电流峰值误差小于5％,证实了仿真研究电路瞬时剂量率效应方法的有效性.
文献关键词：
辐射加固;TCAD仿真;剂量率;瞬时光电流
中图分类号：
作者姓名：
初飞;陈洪转;于春青;郑宏超;王亮;杨程远
作者机构：
南京航空航天大学,南京211106;北京微电子技术研究所,北京100076
文献出处：
引用格式：
[1]初飞;陈洪转;于春青;郑宏超;王亮;杨程远-.基于TCAD仿真建模的瞬时剂量率效应研究)[J].宇航计测技术,2022(04):83-87,92
A类：
瞬时光电流
B类：
TCAD,仿真建模,剂量率效应,百万,万门,互补金属氧化物半导体,CMOS,抗辐射加固,微处理器,建模技术,明通,保护环,结构加固设计,辐射源,电流峰值,仿真研究
AB值：
0.211174
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