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量子点发光二极管中电荷累积行为
文献摘要：
量子点发光二极管(QLED)是不需要额外光源的主动发光技术,在显示领域中的应用前景被广泛看好.寿命较短是影响QLED商业化的重要因素之一,并且其老化机理尚不清晰.在本工作中,我们通过自主搭建电荷提取装置,证实红光QLED在恒流驱动过程中,存在显著的电荷累积.累积电荷量随着驱动电流密度增加而增加,但当超过阈值电流密度(对应于开启电压)后逐渐趋于饱和.随着器件老化,亮度下降伴随着累积电荷量进一步增加.本工作对QLED老化过程中电荷累积规律的理解,能为QLED材料和界面的优化设计提供直观判据.
文献关键词：
量子点发光二极管;寿命;注入势垒;电荷累积;注入平衡
中图分类号：
作者姓名：
王成;张弛;黎瑞锋;陈琪;钱磊;陈立桅
作者机构：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所国际实验室,中国科学院纳米科学卓越中心,江苏苏州215123;上海科技大学物质科学与技术学院,上海201210;中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201;中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥230026;上海交通大学化学与化工学院物质科学原位中心,上海200240
文献出处：
引用格式：
[1]王成;张弛;黎瑞锋;陈琪;钱磊;陈立桅-.量子点发光二极管中电荷累积行为)[J].物理化学学报,2022(08):51-57
A类：
B类：
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AB值：
0.371757
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