典型文献
粉床型电子束增材制造W-3.5Nb合金孔洞缺陷及其形成机制
文献摘要：
采用粉床型电子束增材制造(SEBM)技术制备了W-3.5Nb合金,研究了电子束线能量密度对W-3.5Nb合金孔洞缺陷形成的影响规律,分析了不同类型孔洞缺陷的形成原因.结果 表明:随着电子束线能量密度的升高,缺陷含量降低,当线能量密度升高到1.44 J/mm时,缺陷的体积含量最低为0.01％,继续增大线能量密度,缺陷的体积含量和数量有所增加.合金中孔洞缺陷可分为层间熔合不良、微米级树枝状孔、微米级近球形孔、纳米级球形孔4类.在线能量密度较低(1.08 J/mm)时,大尺寸(大于5000 μm3)缺陷占主导,主要为层间熔合不良,形成原因主要是能量输入不足导致的熔池球化和熔化深度不足;当线能量密度升高后到1.32,1.44和2.2 J/mm,小尺寸(小于2000 μm3)缺陷占主导,其中的低球形度缺陷主要为微米级的树枝状孔洞,形成原因主要是熔池扰动引起的液体飞溅,高球形度的缺陷主要为微米级的近球形孔和纳米级球形孔,形成原因主要是熔池凝固过程中的凝固收缩和枝晶间的显微缩松.
文献关键词：
增材制造(3D打印);粉床型电子束增材制造;钨合金;缺陷
中图分类号：
作者姓名：
杨广宇;汤慧萍;王建;贾文鹏;贾亮;刘楠
作者机构：
西北有色金属研究院金属多孔材料国家重点实验室,陕西西安710016
文献出处：
引用格式：
[1]杨广宇;汤慧萍;王建;贾文鹏;贾亮;刘楠-.粉床型电子束增材制造W-3.5Nb合金孔洞缺陷及其形成机制)[J].稀有金属材料与工程,2022(02):573-578
A类：
粉床型电子束增材制造,液体飞溅
B类：
5Nb,孔洞缺陷,SEBM,线能量密度,缺陷形成,型孔,形成原因,含量降低,大线能量,熔合不良,微米级,树枝状,纳米级,大尺寸,能量输入,熔池,熔化,小尺寸,球形度,高球,凝固过程,枝晶,显微缩松,钨合金
AB值：
0.221532
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