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典型文献
基于分子体积法的CHONF高能致爆材料晶体密度的预测
文献摘要:
针对现有的晶体密度预测研究大多围绕CHON类含能材料,在预测CHONF高能致爆材料晶体密度时会由于公式适用范围不同,出现预测误差较大的问题,为提高对该类材料的性能评估精度,从剑桥晶体数据中心中筛选出56个该类材料,在B3PW91/6-31g(d,p)计算水平下系统性评估了 Rice以及Politzer公式在预测该类材料晶体密度的表现,然后在分子表面静电势相关的典型参数基础上利用符号回归方法和"加、减、乘、除"4种算符构建出适用该体系的密度预测公式.结果表明,符号回归公式的均方根误差从Rice公式的0.106g/cm3降低到0.045g/cm3,并将超过半数的含氟高能致爆材料的密度预测误差降低到0.030g/cm3以下,极大地提高了含氟高能致爆材料晶体密度预测精度.
文献关键词:
量子化学;CHONF类含能材料;晶体密度预测;符号回归;高能量密度材料
作者姓名:
文琳元;何晓凯;师进文;刘英哲;王伯周
作者机构:
西安交通大学能源与动力工程学院,陕西西安710049;西安近代化学研究所,陕西西安710065
文献出处:
引用格式:
[1]文琳元;何晓凯;师进文;刘英哲;王伯周-.基于分子体积法的CHONF高能致爆材料晶体密度的预测)[J].火炸药学报,2022(06):807-813
A类:
CHONF,晶体密度预测,CHON,Politzer,045g
B类:
分子体积,体积法,预测研究,含能材料,预测误差,性能评估,剑桥,数据中心,B3PW91,31g,Rice,表面静电势,典型参数,符号回归,算符,预测公式,回归公式,106g,cm3,过半数,含氟,030g,极大地提高,量子化学,高能量密度材料
AB值:
0.299523
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