典型文献
高压下G2ZT晶体结构、电子结构和光学性质的第一性原理研究
文献摘要：
基于密度泛函理论的第一性原理研究了高压下富氮含能材料(双3,?4,?5-三氨基-1,2,?4-三唑)-5,?5′-偶氮四唑(G2ZT)的几何结构、电子结构和光学性质.结果表明,在考虑范德瓦尔斯色散修正和密度泛函色散修正的情况下,?分子晶体结构数据与实验结果的相对误差均在3％以内.Hirshfeld表面分析结果表明,随着压强增大,分子间氢键的相互作用减弱.G2ZT晶体在零压下的能带带隙为2.03?eV,是一种p型半导体.随着压强增大,带隙变窄,吸收系数可达到3.0×106?cm?1.研究结果为进一步分析高压下G2ZT晶体的特征提供了理论参考.
文献关键词：
G2ZT晶体;高压;电子结构;光学性质
中图分类号：
作者姓名：
李佐;刘云;廖大麟;成丽红
作者机构：
贵州工程应用技术学院理学院, 贵州 毕节 551700
文献出处：
引用格式：
[1]李佐;刘云;廖大麟;成丽红-.高压下G2ZT晶体结构、电子结构和光学性质的第一性原理研究)[J].高压物理学报,2022(04):13-23
A类：
G2ZT,散修
B类：
晶体结构,电子结构和光学性质,第一性原理研究,基于密度,密度泛函理论,含能材料,三唑,偶氮四唑,几何结构,范德瓦,德瓦尔,瓦尔斯,斯色,色散,分子晶体,Hirshfeld,表面分析,分子间氢键,带隙,eV,变窄,吸收系数
AB值：
0.33289
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