典型文献
基于N4分子的高能量密度材料:第一性原理计算的合成路线
文献摘要：
为了探索合成和稳定聚合氮形式的分子或晶体的途径,基于第一性原理计算提出了两种基于N4分子合成高能量密度材料的方法:第一种方法是在单晶金属表面吸附N4(Td)分子;第二种方法是利用结构搜索获取稳定的N4相关结构.提出了P-43m-N4、P4/m-LiN4和Amm2-G/N4三种含有N4分子的晶体,并计算了它们的能量密度、热力学和动力学稳定性以及电子结构性质.结果表明,在超高真空和低温条件下,N4(Td)在金属表面可以通过失去Td对称而稳定.AIMD模拟结果表明,它们在50GPa、50或300K下是稳定的.通过N4与金属原子形成的配位键,聚合N4可以在高压下合成,并在低温条件下稳定.
文献关键词：
第一性原理计算;高能密度材料;N4;配位键
中图分类号：
作者姓名：
毛禹婷;孙矗丽;杜慧芳;郭伟
作者机构：
北京理工大学物理学院先进光电量子结构与测量重点实验室(MOE ) ,北京100081;北京理工大学高能量物质前沿科学中心,北京100081
文献出处：
引用格式：
[1]毛禹婷;孙矗丽;杜慧芳;郭伟-.基于N4分子的高能量密度材料:第一性原理计算的合成路线)[J].火炸药学报,2022(01):36-45
A类：
金属表面吸附,LiN4,Amm2,50GPa,高能密度材料
B类：
高能量密度材料,第一性原理计算,合成路线,定聚,聚合氮,第一种,单晶金,Td,第二种,结构搜索,43m,P4,热力学和动力学,动力学稳定性,电子结构性质,超高真空,低温条件,过失,AIMD,300K,配位键
AB值：
0.28749
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