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量子材料GaTa4Se8的基态研究
文献摘要：
量子材料GaTa4Se8(GTS)不仅展现出绝缘体到金属相变、Jeff量子态以及拓扑超导等多种有趣的物理性质,而且还是电阻开关和存储介质材料,一直以来备受关注.当前科学家们对其绝缘基态的结构仍存在争议,基态结构的不确定阻碍了对其各种物理性质的深入理解.GaTa4Se8的绝缘基态长期被认为具有立方对称结构(空间群F(4)3m),其电子能隙是由 自旋轨道耦合效应和电子关联共同作用形成的Mott型能隙.最近第一性原理计算表明,立方结构的声子谱存在虚频而不稳定,并预测立方对称存在结构畸变会形成更稳定的三方结构(R3m)或四方结构(F(4)21m).为此,本研究通过压力调节该材料的电子能隙,结合Raman光谱、X射线衍射、电阻测量等多种实验表征手段,对比实验得到的数据与第一性原理计算结果,进一步探索GaTa4Se8的基态结构.研究表明三方对称结构(R3m)更符合实验观察结果.
文献关键词：
Mott绝缘体;金属-绝缘体相变;高压Raman光谱
中图分类号：
作者姓名：
邓宏芟;张建波;王东;胡清扬;丁阳
作者机构：
北京高压科学研究中心,北京 100094
文献出处：
引用格式：
[1]邓宏芟;张建波;王东;胡清扬;丁阳-.量子材料GaTa4Se8的基态研究)[J].高压物理学报,2022(01):19-28
A类：
GaTa4Se8
B类：
量子材料,GTS,绝缘体,金属相变,Jeff,量子态,拓扑超导,有趣,物理性质,存储介质,介质材料,前科,基态结构,对称结构,能隙,自旋轨道耦合,耦合效应,电子关联,联共,Mott,第一性原理计算,声子谱,结构畸变,更稳,R3m,21m,压力调节,Raman,电阻测量,实验表征,表征手段,实验观察
AB值：
0.366434
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