典型文献
基于MOS管的忆阻器电路仿真器设计
文献摘要：
运用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)技术,设计了2款浮地型忆阻器电路仿真器,并研究电路仿真器在不同激励条件下的特性.理论推导表明,设计的电路仿真器的端口电压电流关系符合忆阻器与状态变量相关的欧姆定律方程.仿真结果表明,设计的忆阻器电路仿真器具有特有的捏滞回环特性,验证了其正确性和可行性.
文献关键词：
忆阻器;浮地型;电路仿真器;CMOS
中图分类号：
作者姓名：
卢振洲;肖恩浩
作者机构：
杭州电子科技大学电子信息学院,浙江杭州310018
文献出处：
引用格式：
[1]卢振洲;肖恩浩-.基于MOS管的忆阻器电路仿真器设计)[J].杭州电子科技大学学报,2022(03):1-7
A类：
电路仿真器,浮地型
B类：
忆阻器,互补金属氧化物半导体,Complementary,Metal,Oxide,Semiconductor,CMOS,理论推导,端口,电压电流,状态变量,欧姆定律,回环
AB值：
0.177966
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