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原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究
文献摘要：
文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大.SZO薄膜的可见光透射率在85％之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主.ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.
文献关键词：
Si掺杂;ZnO薄膜;原子层淀积;透光率;光致发光
中图分类号：
作者姓名：
张远;张永兴;张金锋;牟福生
作者机构：
淮北师范大学 物理与电子信息学院,安徽 淮北 235000;复旦大学 微电子学院,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海 200433
文献出处：
引用格式：
[1]张远;张永兴;张金锋;牟福生-.原子层淀积Si掺杂ZnO薄膜的光电性能研究)[J].淮北师范大学学报（自然科学版）,2022(04):60-64
A类：
原子层淀积,SZO
B类：
ZnO,光电性能,ALD,电学,光学性能,SiO2,叠层,掺杂浓度,多晶,AFM,表面粗糙度,载流子浓度,电阻率,可见光,光透射,透射率,光致发光谱,谱表,紫外光,透明导电薄膜,薄膜晶体管,探测器,透光率
AB值：
0.250535
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