典型文献
辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究
文献摘要：
研究了铪基金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors,MOSFETs)栅介质中陷阱诱导的退化和总剂量电离辐照效应.利用动力学蒙特卡洛模拟方法,研究了 MOSFETs栅介质中本征缺陷的生长/复合、辐照诱导陷阱电荷和载流子的生成以及载流子俘获/发射等多种物理行为对阈值电压漂移的影响.结果显示MOSFETs阈值电压漂移主要受温度、辐照剂量和被钝化的悬挂键密度的影响.随着温度的升高,栅介质内产生新的缺陷参与载流子输运等行为,导致阈值电压漂移更加明显.辐照剂量很小时辐照效应相对较小,陷阱诱导的退化是主要的影响因素;随着辐照剂量的累积,辐照效应开始占主导地位并产生强烈的负向漂移;当辐照剂量累积到极高水平时,阈值电压漂移表现出反弹效应.
文献关键词：
高k栅介质;金属-氧化物半导体场效应晶体管;阈值电压漂移;总剂量辐照效应;动力学蒙特卡洛
中图分类号：
作者姓名：
杨燚;赵凯;赵钰迪;董俊辰
作者机构：
北京信息科技大学智能芯片与网络研究院,北京100192;北京大学微米纳米加工技术国家级重点实验室,北京100871
文献出处：
引用格式：
[1]杨燚;赵凯;赵钰迪;董俊辰-.辐照对MOSFETs栅介质阈值电压漂移的影响研究)[J].北京信息科技大学学报（自然科学版）,2022(01):40-44
A类：
动力学蒙特卡洛,总剂量辐照效应
B类：
MOSFETs,栅介质,阈值电压漂移,氧化物半导体,场效应晶体管,metal,oxide,semiconductor,field,effect,transistors,陷阱,电离辐照,蒙特卡洛模拟方法,本征缺陷,电荷,载流子,俘获,辐照剂量,钝化,悬挂,输运,累积到,反弹效应
AB值：
0.217516
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