典型文献
化学气相沉积法制备单层MoS2及其低温电学输运特性研究
文献摘要：
首先利用化学气相沉积法,在300 nm SiO2/Si基底上生长MoS2材料,通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征,实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS2材料.其次,制备了基于单层MoS2的场效应晶体管,结果表明器件的开关比约为1.0×107.最后测试了器件不同温度下的电学输运特性.结果表明器件在低温(T<100 K)时,其导电机制可以用变程跃迁模型解释,当在高温(T>100 K)时,器件的电学输运特性由近邻跃迁模型确定.这项工作有助于深入理解单层MoS2的电学输运特性及其在各种光电器件的应用.
文献关键词：
化学气相沉积法;二硫化钼;电学输运;变程跃迁;近邻跃迁
中图分类号：
作者姓名：
赵磊;赵鸿宇;王新琴;郭中华;张正荣
作者机构：
兰州城市学院 电子工程学院,甘肃 兰州 730070
文献出处：
引用格式：
[1]赵磊;赵鸿宇;王新琴;郭中华;张正荣-.化学气相沉积法制备单层MoS2及其低温电学输运特性研究)[J].云南大学学报（自然科学版）,2022(05):1005-1011
A类：
变程跃迁,近邻跃迁
B类：
化学气相沉积法,MoS2,电学输运,输运特性,SiO2,上生,光学显微镜,原子力显微镜,拉曼光谱,光致发光光谱,场效应晶体管,明器,开关比,后测,导电机制,模型解释,当在,模型确定,光电器件,二硫化钼
AB值：
0.191757
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