典型文献
基于密度泛函理论的全氟辛烷磺酸质谱裂解规律研究
文献摘要：
基于密度泛函理论的第一性原理,在B3LYP/6-31G(d,p)基组下,优化了全氟辛烷磺酸(PFOS)分子、准分子离子和各质谱裂解碎片离子的结构,获得稳定的几何构型,计算了PFOS分子电离前后的自然布局分析(NPA)电荷、电子密度差、键长、Mayer键级、键裂解能,并对重排离子的过渡态进行搜寻,进而推导出碎片离子在质谱裂解过程中的形成途径.计算结果表明,PFOS分子形成准分子离子后,分子结构中的SO3-最易失去,从而形成m/z 80的基峰,C2F5-(m/z 119),CF2SO3-(m/z 130),C3F7-(m/z 169),C2F4SO3-(m/z 180)和C3F6SO3-(m/z 230)均是由PFOS直接裂解形成,其质谱信号响应与断裂化学键的键裂解能存在相关关系.同时验证了FSO3-是由氟原子重排形成的结论,并在质谱上形成m/z 99的峰.该研究通过分析多种量子化学参数,丰富了PFOS的电喷雾质谱的裂解规律,有助于PFOS分子的准确鉴定,也可为研究其他全氟化合物质谱裂解规律提供理论和方法参考.
文献关键词：
质谱;全氟辛烷磺酸;密度泛函理论;量子计算化学
中图分类号：
作者姓名：
王天润;黎梅;翁瑞;杜沈旋
作者机构：
河北师范大学化学与材料科学学院,河北石家庄050024;中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所,北京 100081
文献出处：
引用格式：
[1]王天润;黎梅;翁瑞;杜沈旋-.基于密度泛函理论的全氟辛烷磺酸质谱裂解规律研究)[J].河北师范大学学报（自然科学版）,2022(01):52-58
A类：
C2F5,CF2SO3,C3F7,C2F4SO3,C3F6SO3,FSO3,量子计算化学
B类：
基于密度,密度泛函理论,全氟辛烷磺酸,质谱裂解规律,第一性原理,B3LYP,31G,基组,PFOS,准分子,分子离子,碎片离子,几何构型,电离,布局分析,NPA,电荷,电子密度,密度差,键长,Mayer,键级,重排,过渡态,搜寻,形成途径,分子结构,基峰,均是由,裂化,化学键,量子化学,化学参数,电喷雾质谱,全氟化合物
AB值：
0.319146
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
