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ZnO纳米棒阵列的光敏忆阻开关特性
文献摘要：
通过水热法成功合成取向生长的氧化锌纳米棒阵列,并制备了 Cu/ZnO NRs/Zn结构的忆阻器件.研究结果表明,基于氧化锌纳米棒阵列的忆阻器表现出良好的双极阻变行为,并在光辐照下,有响应电流增大的光电协同刺激响应性,阻变机制为由空间电荷限制电流(SCLC)主导的电子型阻变机制.该工作为开发具有光电操作的人工神经突触器件和神经网络计算提供了一种经济有效的方法.
文献关键词：
忆阻器;氧化锌纳米棒;双极阻变特性;水热法
中图分类号：
作者姓名：
陈建彪;高丽烨;徐讲文;杨春艳;郭童童
作者机构：
西北师范大学物理与电子工程学院,甘肃省原子分子物理与功能材料重点实验室,甘肃兰州 730070
文献出处：
引用格式：
[1]陈建彪;高丽烨;徐讲文;杨春艳;郭童童-.ZnO纳米棒阵列的光敏忆阻开关特性)[J].西北师范大学学报（自然科学版）,2022(02):34-39
A类：
电子型,双极阻变特性
B类：
ZnO,纳米棒阵列,光敏,开关特性,过水,水热法,氧化锌纳米棒,NRs,忆阻器件,辐照,照下,应电流,光电协同,刺激响应性,阻变机制,空间电荷限制电流,SCLC,神经突触,经济有效
AB值：
0.304336
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