典型文献
考虑寄生参数的高压GaN功率放大器漏极调制电路分析
文献摘要：
提出了一种适用于高压高功率GaN功率放大器的漏极调制电路.采用高压自举驱动电路并增加泄放开关管的方式以减小上升时间和下降时间.基于对寄生参数影响的分析及计算,提出了并联加电线的措施.此外,定量计算了提供脉冲大电流所需的储能电容容值.为了确保功率放大器的安全运行,提出了死区控制电路及时序控制电路.搭建了一台实验样机验证所提漏极调制电路设计的有效性,实验结果表明该样机的上升时间和下降时间均小于100 ns.
文献关键词：
漏极调制;氮化镓;高压;功率放大器;寄生电感;N-MOS驱动
中图分类号：
作者姓名：
陈晓青;成爱强;朱昕昳;顾黎明;唐世军
作者机构：
南京电子器件研究所微波功率器件事业部,南京210016,中国
文献出处：
引用格式：
[1]陈晓青;成爱强;朱昕昳;顾黎明;唐世军-.考虑寄生参数的高压GaN功率放大器漏极调制电路分析)[J].南京航空航天大学学报（英文版）,2022(05):521-529
A类：
漏极调制
B类：
寄生参数,GaN,功率放大器,调制电路,电路分析,高功率,自举,驱动电路,泄放,放开,上升时间,下降时间,参数影响,加电,电线,定量计算,大电流,储能电容,容容,死区控制,控制电路,时序控制,一台,样机验证,电路设计,ns,氮化镓,寄生电感,MOS
AB值：
0.358282
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