典型文献
基于SOI的硅光波导电子束光刻工艺参数对结构的影响
文献摘要：
电子束光刻是纳米级硅光波导制作过程的关键工艺,本文以顶层硅220 nm的SOI晶圆为衬底研究了电子束光刻的主要工艺参数—曝光剂量对显影后的PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)正性抗蚀剂结构轮廓的影响,根据测量结果分析曝光剂量与显影后结构图形宽度的关系,找到最佳曝光剂量220μC/cm2以便通过后续工艺得出与掩膜尺寸一致的最终结构.同时,依据图像分割曲线跟踪技术对剂量测试结果图进行轮廓提取处理,分析掩膜设计值和曝光剂量与边界轮廓二维粗糙度之间的关系,为后续相同衬底材料的电子束光刻提供参考意义.
文献关键词：
硅光波导;电子束光刻;曝光剂量;粗糙度
中图分类号：
作者姓名：
郑煜;郜飘飘;唐昕;刘建哲;段吉安
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]郑煜;郜飘飘;唐昕;刘建哲;段吉安-.基于SOI的硅光波导电子束光刻工艺参数对结构的影响)[J].中南大学学报（英文版）,2022(10):3335-3345
A类：
B类：
SOI,硅光波导,电子束光刻,光刻工艺,纳米级,关键工艺,晶圆,衬底,主要工艺,曝光剂量,影后,PMMA,聚甲基丙烯酸甲酯,正性,结构图,过后,掩膜,图像分割,分割曲线,跟踪技术,轮廓提取,设计值,粗糙度
AB值：
0.257994
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