典型文献
基于新型磁电阻材料TaP的强磁场传感器设计
文献摘要:
针对强磁场的检测需求,设计了基于新型磁电阻材料外尔半金属TaP的强磁场传感器.首先,分析介绍了外尔半金属材料进行强磁场检测的原理,材料的各向异性以及SdH振荡现象.之后,以外尔半金属TaP为磁敏感材料进行相关特性测试和传感器设计,通过锁相放大器OE1022D采集传感器输出信号.最后,通过实验测试,对传感器的灵敏度、噪声特性和测量范围进行标定.设计的传感器测量范围为-3~3 T,灵敏度为8.97μV/Gs,噪声特性为2 mGs/Hz@1 Hz,实际测量结果误差小,分辨率较高,噪声小,对于强磁场的测量有一定的实用价值.
文献关键词:
强磁场;外尔半金属;传感器
中图分类号:
作者姓名:
王磊;步远恒;谭超;夏正才;易立志;潘礼庆
作者机构:
三峡大学电气与新能源学院,湖北宜昌443002;华中科技大学国家脉冲强磁场中心,湖北武汉443074;三峡大学理学院,湖北宜昌443002
文献出处:
引用格式:
[1]王磊;步远恒;谭超;夏正才;易立志;潘礼庆-.基于新型磁电阻材料TaP的强磁场传感器设计)[J].传感器与微系统,2022(08):71-75
A类:
TaP,SdH,OE1022D
B类:
磁电阻,强磁场,磁场传感器,传感器设计,外尔半金属,金属材料,磁场检测,各向异性,磁敏感,敏感材料,相关特性,锁相放大器,输出信号,实验测试,噪声特性,测量范围,传感器测量,mGs
AB值:
0.228724
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