典型文献
电磁熔配制备P型硅锗合金热电半导体材料
文献摘要：
采用电磁熔配法制备了掺杂B(含量分别为0.5％、1％、1.5％、2％,均为原子百分数,下同)的P型硅锗合金热电半导体材料,根据对样品的物相分析和微观形貌分析确定电磁熔配法使硅锗完成合金化的条件,并检测制备的P型硅锗合金热电半导体样品在200～800℃下的热电性能.结果表明:电磁搅拌熔配、保温120 min并使用二次冷却结晶方式可以使硅锗完成合金化,并且可以减少冷却结晶过程中锗的析出,提升样品均匀性;电磁熔配法制备的掺杂B含量为1.5％的P型硅锗合金热电半导体在800℃下的热电优值能够达到0.43.该方法制备工艺简单,制备时间短,可重复性强,为硅锗热电材料的制备提供一种新思路.
文献关键词：
高温热电材料;硅锗合金;电磁冶金法;均匀性;热电性能
中图分类号：
作者姓名：
华俊森;吕国强;马文会;魏奎先;李绍元;雷云
作者机构：
昆明理工大学 冶金与能源工程学院,真空冶金国家工程实验室,昆明 650093;昆明理工大学 省部共建复杂有色金属资源清洁利用国家重点实验室,昆明 650093
文献出处：
引用格式：
[1]华俊森;吕国强;马文会;魏奎先;李绍元;雷云-.电磁熔配制备P型硅锗合金热电半导体材料)[J].有色金属工程,2022(12):22-27,108
A类：
高温热电材料,电磁冶金法
B类：
硅锗合金,半导体材料,配法,百分数,下同,物相分析,微观形貌分析,合金化,热电性能,电磁搅拌,二次冷却,冷却结晶,结晶过程,样品均匀性,热电优值,制备工艺,可重复性
AB值：
0.232717
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