典型文献
SiOx@g-C3N4复合材料的制备及储锂性能
文献摘要：
硅材料因理论比容量远高于石墨,受到广泛关注,但阻碍发展的关键是硅的体积膨胀.通过热缩聚和还原原位合成SiOx@类石墨相氮化碳(g-C3 N4)复合材料,并研究储锂性能.XRD、SEM和X射线光电子谱(XPS)分析结果表明:SiOx均匀分散在g-C3 N4片构成的空腔中,形成SiOx@g-C3 N4复合材料.电化学性能测试结果表明:SiOx@g-C3 N4复合材料以0.1 A/g的电流在0.01～3.00 V循环,首次充电比容量为1410 mAh/g,库仑效率为76.4％;以1.0 A/g的电流循环700次,可逆比容量保持在488 mAh/g,库仑效率为99.7％.g-C3N4片层结构既缓解了硅材料的体积膨胀与粉化,又提高了导电性,因此SiOx@g-C3 N4复合材料表现出良好的电化学性能.
文献关键词：
锂离子电池;类石墨相氮化碳(g-C3N4);电化学性能;复合材料
中图分类号：
作者姓名：
张林森;张振华;郭春朵;宋延华
作者机构：
郑州轻工业大学材料与化学工程学院,河南郑州 450002;郑州轻工业大学陶瓷材料研究中心,河南郑州450002;河南省陶瓷基新能源材料国际联合实验室,河南郑州 450002
文献出处：
引用格式：
[1]张林森;张振华;郭春朵;宋延华-.SiOx@g-C3N4复合材料的制备及储锂性能)[J].电池,2022(06):615-619
A类：
B类：
SiOx,C3N4,储锂性能,硅材料,体积膨胀,热缩聚,原位合成,类石墨相氮化碳,光电子谱,XPS,均匀分散,空腔,电化学性能,mAh,库仑效率,可逆比容量,片层结构,粉化,导电性,材料表现,锂离子电池
AB值：
0.240337
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