典型文献
碳化硅商业化进程加速
文献摘要：
碳化硅SiC属于第三代化合物半导体,与硅基材料相比具有宽禁带、高临界击穿场强、高热导率等特征.在大部分厂商完成低缺陷密度单晶生长工艺及厚单晶生长工艺研发后,碳化硅衬底的单位面积价格会降低,凸显出经济性.碳化硅器件市场包括功率器件与射频器件,前者主要用于汽车、工业与能源领域,后者主要用于5G建设.业内预测,2022年全球SiC器件市场规模为43亿美元,随着碳化硅器件在电力、射频等领域的渗透率提升,预计到2026年市场规模将增长至89亿美元,对应年复合增长率为19.9％.
文献关键词：
中图分类号：
[2]
经济（F）
作者姓名：
吴新竹
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]吴新竹-.碳化硅商业化进程加速)[J].证券市场周刊,2022(42):26-27
A类：
B类：
商业化进程,SiC,第三代,化合物半导体,硅基材料,禁带,临界击穿场强,高热,热导率,分厂,厂商,缺陷密度,单晶生长,生长工艺,硅衬底,单位面积,凸显出,出经,碳化硅器件,功率器件,射频器件,能源领域,市场规模,亿美元,渗透率
AB值：
0.375327
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
