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固体电解质缺陷化学分析:晶粒体点缺陷及晶界空间电荷层
文献摘要：
离子电导率是影响固态离子器件性能的基本因素.在无机固体电解质中,离子的传导包括晶粒体和晶界传导,两者均与材料体系中点缺陷结构密切相关.本文详细阐述了固体电解质体内可能存在的点缺陷及其对晶粒体电导率的影响规律,并结合钙钛矿结构LLTO固体电解质介绍了晶界空间电荷层模型及由此而引发的晶界离子电导特性.以期为高离子电导固体电解质的设计提供思路.
文献关键词：
固态电解质;缺陷;离子电导;空间电荷层
中图分类号：
作者姓名：
邓诗维;吴剑芳;时拓
作者机构：
湖南大学材料科学与工程学院,湖南省清洁能源材料及技术国际联合实验室,先进炭材料及应用技术湖南省重点实验室,湖南 长沙 410082;中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室,北京 100020
文献出处：
引用格式：
[1]邓诗维;吴剑芳;时拓-.固体电解质缺陷化学分析:晶粒体点缺陷及晶界空间电荷层)[J].储能科学与技术,2022(03):939-947
A类：
缺陷化学,空间电荷层
B类：
固体电解质,化学分析,晶粒,点缺陷,离子电导率,器件性能,和晶界,材料体系,中点,缺陷结构,钙钛矿结构,LLTO,层模型,电导特性,固态电解质
AB值：
0.242196
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