典型文献
名义纯及掺杂铌酸锂晶体内偏置场的实验研究
文献摘要：
铌酸锂晶体的内偏置场对铁电应用、电光应用和非线性光学应用等均有直接影响.本工作建立了铌酸锂(LN)晶体内偏置场测试方法,对同成分铌酸锂(CLN)晶体、近化学计量比铌酸锂(nSLN)晶体、掺杂铌酸锂(doped LN)晶体的内偏置场和矫顽场进行测量.结果表明,CLN晶体内偏置场最高(Eint=2.53 kV/mm),nSLN晶体的内偏置场大幅降低,其中富锂熔体法生长和气相输运平衡(vapor transport equilibration,VTE)法结合得到的nSLN晶体的内偏置场最小,与CLN晶体相比降低了约两个数量级;掺杂铌酸锂晶体的内偏置场与CLN晶体相比也普遍降低,其中掺6.5％(摩尔分数)Mg的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的四分之一,掺7％(摩尔分数)Zn的CLN晶体的内偏置场约为CLN晶体的六分之一.最后对组分和掺杂影响内偏置场的因素进行了简要分析.
文献关键词：
铌酸锂晶体;内偏置场;名义纯;掺杂;本征缺陷;阈值浓度
中图分类号：
作者姓名：
吴婧;李清连;张中正;杨金凤;郝永鑫;李佳欣;刘士国;张玲;孙军
作者机构：
南开大学物理科学学院,天津 300071;南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300457;山西大学极端光学协同创新中心,太原 030006;河南工程学院材料工程学院,河南省电子陶瓷材料与应用重点实验室,郑州 451191
文献出处：
引用格式：
[1]吴婧;李清连;张中正;杨金凤;郝永鑫;李佳欣;刘士国;张玲;孙军-.名义纯及掺杂铌酸锂晶体内偏置场的实验研究)[J].人工晶体学报,2022(04):571-578
A类：
名义纯,内偏置场,nSLN,Eint
B类：
铌酸锂晶体,铁电,电光,非线性光学,同成分,CLN,近化学计量比,doped,矫顽场,kV,中富,富锂,熔体法,输运,vapor,transport,equilibration,VTE,比降,数量级,摩尔分数,Mg,四分之一,六分之一,本征缺陷,阈值浓度
AB值：
0.196547
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