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脉冲电流处理对冷轧态GH3030合金低∑CSL晶界演变及耐腐蚀性能的影响
文献摘要：
采用电子背散射衍射(EBSD)技术研究了脉冲电流处理(EPT)对GH3030合金低∑CSL晶界的影响,分析了合金低∑CSL晶界在脉冲电流处理下的生长机制,采用电化学腐蚀实验研究了脉冲电流处理对GH3030合金耐腐蚀性能的影响,分析了低∑CSL晶界与合金耐腐蚀性的内在联系.同时与经常规退火处理的合金作对比.结果表明:经不同工艺的脉冲电流处理后,合金中∑3n(n=1,2,3)晶界比例总体上随热处理温度的升高及热处理时间的增加而提高,合金的耐晶间腐蚀性能也随之增强.与常规退火处理相比,脉冲电流处理可以在较短时间内显著提高合金中∑3n(n=1,2,3)晶界的比例.经850℃脉冲电流处理30 min后冷轧态GH3030合金的∑3n(n=1,2,3)晶界比例最高,耐腐蚀性能最好.
文献关键词：
冷轧GH3030合金;脉冲电流处理;耐腐蚀性能;低角度晶界
中图分类号：
作者姓名：
张鹏;韩志豪;张弘斌;周海萍
作者机构：
东北大学材料科学与工程学院,材料各向异性与织构教育部重点实验室,辽宁沈阳 110819;山东科技大学机械电子工程学院,山东青岛 266590
文献出处：
引用格式：
[1]张鹏;韩志豪;张弘斌;周海萍-.脉冲电流处理对冷轧态GH3030合金低∑CSL晶界演变及耐腐蚀性能的影响)[J].材料热处理学报,2022(12):73-82
A类：
B类：
脉冲电流处理,冷轧,GH3030,CSL,耐腐蚀性能,电子背散射衍射,EBSD,EPT,生长机制,电化学腐蚀,腐蚀实验,退火处理,不同工艺,3n,热处理温度,热处理时间,晶间腐蚀性能,低角度晶界
AB值：
0.177591
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