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脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响
文献摘要：
研究了脉宽对于中红外脉冲激光带内损伤碲镉汞(HgCdTe)材料阈值的影响,使用一维自洽模型对激光辐照HgCdTe材料程中的载流子数密度,载流子对数目流,载流子对能流,载流子温度和材料晶格温度等相关参数进行仿真计算.仿真结果表明,波长2.85μm,脉宽30 ps～10 ns单脉冲激光带内辐照HgCdTe材料的损伤阈值为200～500 mJ/cm2.其中,300 ps～3 ns脉冲激光的损伤阈值相近,均为200 mJ/cm2且低于其他脉宽激光的损伤阈值.搭建实验光路并进行相关实验验证仿真模型的正确性.实验发现,波长2.85μm、脉宽300 ps的单脉冲激光带内辐照HgCdTe材料的损伤阈值在200 mJ/cm2左右.相同条件下,10 ns单脉冲激光带内辐照HgCdTe材料的损伤阈值约474 mJ/cm2.百皮秒脉冲激光对HgCdTe材料的损伤过程结合了热击穿和光学击穿效应,其独特的毁伤机理加剧了材料的损伤.
文献关键词：
激光辐照半导体;碲镉汞;损伤阈值;自洽模型;百皮秒脉冲激光
中图分类号：
作者姓名：
胡蔚敏;王小军;田昌勇;杨晶;刘可;彭钦军
作者机构：
中国科学院 理化技术研究所 固体激光重点实验室, 北京 100190;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院 理化技术研究所功能晶体与激光技术重点实验室, 北京 100190
文献出处：
引用格式：
[1]胡蔚敏;王小军;田昌勇;杨晶;刘可;彭钦军-.脉宽对中红外激光带内损伤HgCdTe材料的影响)[J].强激光与粒子束,2022(01):126-133
A类：
载流子数密度,百皮秒脉冲激光,光学击穿,激光辐照半导体
B类：
脉宽,中红外激光,光带,HgCdTe,碲镉汞,自洽模型,能流,晶格,仿真计算,ps,ns,单脉冲,损伤阈值,mJ,验光,光路,热击穿,毁伤机理
AB值：
0.158837
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