典型文献
In2S3/g-C3N4光催化复合材料的制备与研究
文献摘要：
为解决早期合成出来的g-C3N4材料光生电子空穴对复合速率高、比表面积小和禁带宽度高等问题,该文采用热缩聚合法和取氧刻蚀法制备g-C3N4纳米片,以g-C3N4纳米片作为基底,通过水热法制备不同含量In2S3/g-C3N4复合材料.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和紫外可见漫反射(UV-vis)等进行形貌、组成以及光催化性能表征.并将罗丹明B作为目标污染物研究g-C3N4及不同含量In2S3/g-C3N4复合材料的降解性能.试验结果表明,纯g-C3N4纳米片对罗丹明B的降解性能明显低于具有5％～7％含量的In2S3/g-C3N4复合材料.最终通过反复试验的得出,7％In2S3/g-C3N4复合材料的光降解性能最佳,其催化活性也有一定提高.
文献关键词：
g-C3N4纳米片;In2S3/g-C3N4复合材料;水热法;热缩聚合法;降解效率
中图分类号：
作者姓名：
赵子龙;贺世洁;董国峰;谈志鹏;马元良
作者机构：
青海民族大学物理与电子信息工程学院,青海西宁810007
文献出处：
引用格式：
[1]赵子龙;贺世洁;董国峰;谈志鹏;马元良-.In2S3/g-C3N4光催化复合材料的制备与研究)[J].中国新技术新产品,2022(11):61-63
A类：
热缩聚合法
B类：
In2S3,C3N4,光催化复合材料,光生电子,电子空穴对复合,复合速率,比表面积,禁带宽度,刻蚀法,纳米片,过水,水热法,漫反射,UV,vis,光催化性能,性能表征,罗丹明,降解性能,复试,光降解,催化活性,降解效率
AB值：
0.233711
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