典型文献
金属柱状阵列结构二次电子发射系数模拟研究
文献摘要：
二次电子发射系数(secondary electron yield,SEY)的抑制对提高空间大功率微波部件的微放电阈值、降低粒子加速器发生电子云效应的风险等具有重要意义.针对现有圆柱形柱状阵列SEY抑制方法,未考虑实际加工工艺可能导致柱体形貌偏差,进而影响SEY抑制效应的问题,结合二次电子发射唯象概率模型和电子运动轨迹射线追踪法,研究了圆形、方形、圆锥形、截断圆锥形、方锥形、沙漏形及螺纹形柱状阵列的SEY.模拟结果表明:与理想圆柱形柱状阵列相比,方形、方锥形、螺纹形柱状阵列的SEY抑制效应与圆柱阵列基本相同(差异小于～6％),而其余几种形状的柱状阵列的SEY抑制效应略逊于理想圆柱阵列.因此,从SEY抑制效应角度看,圆柱形柱状阵列具有较好的工艺容差性能.研究结果为柱状阵列结构在SEY抑制领域的工程化研究与应用提供了参考.
文献关键词：
二次电子;微放电;电子云;柱状阵列
中图分类号：
作者姓名：
叶鸣;王丹;贺永宁
作者机构：
西安建筑科技大学 信息与控制工程学院,西安710055;西安交通大学 电子与信息工程学部 微电子学院,西安710049
文献出处：
引用格式：
[1]叶鸣;王丹;贺永宁-.金属柱状阵列结构二次电子发射系数模拟研究)[J].空间电子技术,2022(04):79-84
A类：
柱状阵列
B类：
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AB值：
0.262126
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