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FinFET工艺器件总剂量和单粒子效应研究进展
文献摘要：
为实现航天器减重增效的目的,FinFET工艺制造的半导体器件因制程小、功耗低和性能佳等优势,成为宇航级集成电路内部功能单元的有力竞争者.空间辐射环境诱发的半导体器件总剂量和单粒子效应是限制航天器在轨寿命的关键因素,FinFET器件的抗辐射性能与工艺参数密切相关,文中从不同工艺参数下FinFET器件的辐射性能退化着手,比较了掺杂浓度、鳍尺寸和材料种类对总剂量和单粒子效应的影响,详细分析了FinFET器件的辐射损伤行为和性能演化规律,为Fin-FET器件的抗辐射加固提供了科学依据.
文献关键词：
FinFET;总剂量效应;单粒子效应;尺寸;浓度
中图分类号：
作者姓名：
陶伟;魏轶聃;刘国柱;魏敬和
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]陶伟;魏轶聃;刘国柱;魏敬和-.FinFET工艺器件总剂量和单粒子效应研究进展)[J].中国电子科学研究院学报,2022(03):270-281
A类：
B类：
FinFET,单粒子效应,航天器,减重,半导体器件,制程,功耗,宇航,集成电路,路内,功能单元,竞争者,空间辐射环境,在轨寿命,抗辐射性,辐射性能,不同工艺,性能退化,掺杂浓度,材料种类,辐射损伤,损伤行为,性能演化,演化规律,抗辐射加固,总剂量效应
AB值：
0.313261
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