典型文献
直接烧结6H-SiC氧化机理的实验研究与分子动力学模拟
文献摘要：
采用管式炉对直接烧结SiC在1200℃、1300℃和1400℃静止空气气氛下分别氧化1 h、5 h、12 h、24 h,使用热重分析仪分析质量变化曲线,用掠入射X射线衍射仪、场发射扫描电镜以及能谱仪表征氧化产物,揭示氧化机理;使用分子动力学软件LAMMPS在反应力场下模拟SiC的氧化行为.实验结果显示:直接烧结SiC的氧化遵循抛物线氧化规律,即氧化过程是由氧气向内扩散控制的,氧化过程可分为3个阶段;氧化层的形貌从最初的无定形SiO2转变成球晶状SiO2并伴随氧化速率的降低;随氧化时间的进一步增加,球晶特征转化为细晶结构并伴随氧化速率的升高;SiO2结构转变以及氧化速率的改变与O2通过氧化层的特定扩散形式有关.分子动力学模拟表明:6H-SiC的氧化是由O2向内扩散控制的;6H-SiC高温氧化反应生成SiO2的同时伴随着C元素向内聚积,C与O2反应生成CO与CO2,最终以气泡的形式逸出.
文献关键词：
SiC;被动氧化;氧化机理;氧气扩散;分子动力学
中图分类号：
作者姓名：
张悦;江荣;张磊成;陈西辉;高希光;孙志刚;宋迎东
作者机构：
南京航空航天大学 能源与动力学院 航空发动机热环境与热结构工业和信息化部重点实验室, 南京 210016;南京航空航天大学 能源与动力学院 江苏省航空动力系统重点实验室, 南京 210016;南京航空航天大学 机械结构力学及控制国家重点实验室, 南京 210016
文献出处：
引用格式：
[1]张悦;江荣;张磊成;陈西辉;高希光;孙志刚;宋迎东-.直接烧结6H-SiC氧化机理的实验研究与分子动力学模拟)[J].航空材料学报,2022(04):28-38
A类：
被动氧化
B类：
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AB值：
0.386236
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