典型文献
含有气流影像的纳米硅生长图像的去伪研究
文献摘要：
纳米硅材料的制备过程中,设备内需要通入保护气氛,导致监控系统拍摄到的SEM图中经常包含气流影像.由于目前还没有学者用软件方法对该类图片进行去伪处理,所以对于硅岛生长的数量、形状等都是靠人工观察,该方式存在个体差异且时效性差.针对该问题,提出一种基于形态学的去伪算法,滤除气流影像,智能量化硅岛数量.详细分析形态学算法中不同参数下气流影像的去除程度以及硅岛的数量和形态的保留完好程度,论证最优参数的存在性.经验证,该算法耗时短,能够有效去除伪图,能基本保留硅岛形貌,量化结果最小偏差率为0.
文献关键词：
半导体;去伪图;形态学;图像分割
中图分类号：
作者姓名：
李梦宇;王超强;付顺顺
作者机构：
安徽公安职业学院网络安全与执法系;安徽公安职业学院侦查系;安徽公安职业学院网络安全与执法系 合肥230000
文献出处：
引用格式：
[1]李梦宇;王超强;付顺顺-.含有气流影像的纳米硅生长图像的去伪研究)[J].滁州学院学报,2022(05):54-59
A类：
去伪图
B类：
纳米硅,硅材料,制备过程,内需,入保,保护气氛,监控系统,个体差异,滤除,除气,化硅,形态学算法,同参数,下气,留完,完好,最优参数,存在性,最小偏差,差率,图像分割
AB值：
0.452455
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