典型文献
基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计
文献摘要：
在RRAM交叉阵列结构中实现逻辑运算可以较好地解决传统冯诺依曼架构中的存储墙问题.三值逻辑相比于传统的二值逻辑,具有更少的逻辑操作数目和更快的运算速度.文中提出了一种基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计,其中三值逻辑电路的输入与输出均通过多值RRAM的阻值表示.该结构支持两种三值逻辑门和一种二值逻辑门以提升计算速度.实验结果显示,相比于传统的二值存内逻辑电路设计,三值存内逻辑电路加法器可以减少68.84％的操作步数.相比于传统的IMPLY逻辑电路设计,三值存内逻辑电路加法器可以降低33.05％的能耗.
文献关键词：
三值存内逻辑;存储墙;阻变存储器;RRAM交叉阵列;多值单元;混合CMOS-MLC;三值加法器;碳纳米晶体管
中图分类号：
作者姓名：
刘维祎;孙亚男;何卫锋
作者机构：
上海交通大学 电子信息与电气工程学院,上海200240
文献出处：
引用格式：
[1]刘维祎;孙亚男;何卫锋-.基于RRAM双交叉阵列结构的三值存内逻辑电路设计)[J].电子科技,2022(04):8-13
A类：
三值存内逻辑,IMPLY,多值单元,三值加法器,碳纳米晶体管
B类：
RRAM,阵列结构,逻辑电路,电路设计,实现逻辑,逻辑运算,存储墙,操作数,输入与输出,阻值,逻辑门,计算速度,步数,阻变存储器,CMOS,MLC
AB值：
0.206221
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