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碳化硅外延设备控制系统
文献摘要：
碳化硅(SiC)作为第三代半导体的代表材料,其生长需要精确稳定地控制高温、低压、运动、气流等.该文提出一种基于多种类现场总线的SiC外延设备控制系统,设计了软件架构、流程、交互、控制零件等.经反复的工艺运行验证,该系统的最高测量温度达到1750℃;温控精度≤1℃;压力控制精度≤1 mbar;外延最高生长速率≥60 um/h;厚度均匀性≤2％;掺杂浓度均匀性≤5％;平均修复时间(MTTR)≤8 h,以上指标均达到设计要求.
文献关键词：
碳化硅;外延设备;多总线;模块化;控制系统
中图分类号：
作者姓名：
盛飞龙;钟新华;王鑫;伍三忠;戴科峰;仇礼钦
作者机构：
季华实验室,广东 佛山 528200
文献出处：
引用格式：
[1]盛飞龙;钟新华;王鑫;伍三忠;戴科峰;仇礼钦-.碳化硅外延设备控制系统)[J].自动化与信息工程,2022(06):41-45,51
A类：
B类：
碳化硅,硅外延,外延设备,设备控制,SiC,第三代半导体,现场总线,软件架构,零件,工艺运行,测量温度,温控,压力控制,控制精度,mbar,高生长,生长速率,um,厚度均匀性,掺杂浓度,浓度均匀性,平均修复时间,MTTR,多总线
AB值：
0.470998
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