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高比表面积羟基硅酸镁的制备及其形成机理研究
文献摘要：
以Na2SiO3·5H2O和MgCl2·6H2O为原料,采用沉淀法制备高比表面积羟基硅酸镁,利用X射线衍射、扫描电镜、BET比表面积测试等检测手段,研究硅镁比、体系pH值、反应时间、反应温度、煅烧或水热处理对产物物相结构、微观形貌和比表面积的影响.结果表明:硅镁比为3:1、体系pH值为10±0.05、反应时间为80 min、反应温度为75℃时制得比表面积为263.37m2/g的羟基硅酸镁;经7h水热处理,所得羟基硅酸镁比表面积增加至425.30m2/g,提高了61.48％;羟基硅酸镁是由[SiO4]四面体、[MgO6]八面体及羟基形成的三层状结构,其孔道由层状结构堆叠交错而形成;溶液中的OH-可为Si—O—Mg—OH基团和硅烷醇基团(Si—O—H)的形成提供羟基,有助于提高羟基硅酸镁表面活性和比表面积.
文献关键词：
羟基硅酸镁;沉淀法;比表面积;形成机理
中图分类号：
作者姓名：
王琪浩;王余莲;王楠;李闯;张俊;朱益斌;刘珈伊;时天骄;林永瑾;田伊笛;苏德生;袁志刚
作者机构：
沈阳理工大学 材料科学与工程学院,沈阳110159;太原理工大学 材料科学与工程学院,太原030024;辽宁省超高功率石墨电极材料专业技术创新中心,辽宁 丹东118100
文献出处：
引用格式：
[1]王琪浩;王余莲;王楠;李闯;张俊;朱益斌;刘珈伊;时天骄;林永瑾;田伊笛;苏德生;袁志刚-.高比表面积羟基硅酸镁的制备及其形成机理研究)[J].沈阳理工大学学报,2022(06):58-65
A类：
羟基硅酸镁,37m2,MgO6
B类：
高比表面积,形成机理,Na2SiO3,5H2O,MgCl2,6H2O,沉淀法,BET,检测手段,反应温度,煅烧,水热处理,物物,物相结构,微观形貌,7h,30m2,SiO4,四面体,八面体,层状结构,孔道,堆叠,基团,硅烷,表面活性
AB值：
0.238132
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