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短路电流阈值对IGBT元胞热特性影响的研究
文献摘要：
简述了大功率IGB T短路机理的类型,从IGBT元胞本身的电流负载特性出发,分析了短路工况下的芯片自热效应,指出了IGBT短路承受能力的限制因素.以英飞凌公司的FF1400R17IP4功率模块为例,通过对芯片实际尺寸的分析得到了短路保护时间的常规方案,对元胞级建模仿真使IGBT在短路大电流工况下高温失效区的研究得到了进一步细化,说明了IGBT元胞热效应与母线电压的相关性,为后续的研究提供了支撑.
文献关键词：
短路机理;IGBT退饱和;短路阈值时间;IGBT短路能量
中图分类号：
作者姓名：
夏超;杨猛;陈滔;张明华
作者机构：
中国空间技术研究院北京卫星制造厂,北京100089
文献出处：
引用格式：
[1]夏超;杨猛;陈滔;张明华-.短路电流阈值对IGBT元胞热特性影响的研究)[J].新技术新工艺,2022(05):39-44
A类：
短路机理,FF1400R17IP4,短路阈值时间
B类：
短路电流,IGBT,元胞,热特性,大功率,负载特性,自热效应,承受能力,限制因素,英飞凌,功率模块,短路保护,建模仿真,大电流,母线电压
AB值：
0.286387
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