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基于宽禁带半导体技术的超宽带T/R组件
文献摘要：
介绍一种基于宽禁带半导体技术的超宽带T/R组件.该T/R组件采用新型GaN功放及开关MMIC芯片,利用LTCC基板进行四通道高密度集成.测试结果表明:在2～6GHz 3:1相对工作带宽内,连续波饱和输出功率典型值为42.5dBm,典型效率27％;70℃底板下工作时GaN功放芯片沟道温度最大值为160℃.该型T/R组件具有大宽带、高功率、高效率的技术特点,可以显著提升有源相控阵系统的作战效能.
文献关键词：
GaN;T/R组件;超宽带;散热
中图分类号：
作者姓名：
吴昌勇;周丽;刘晓亚;刘英
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十九研究所,成都610036
文献出处：
引用格式：
[1]吴昌勇;周丽;刘晓亚;刘英-.基于宽禁带半导体技术的超宽带T/R组件)[J].电子信息对抗技术,2022(05):101-104
A类：
5dBm,有源相控阵系统
B类：
宽禁带半导体,半导体技术,超宽带,GaN,功放,MMIC,LTCC,基板,四通道,高密度集成,6GHz,工作带宽,连续波,饱和输出功率,典型值,底板,沟道温度,大宽带,高功率,作战效能,散热
AB值：
0.39356
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