典型文献
掺杂ZnO应用领域与表征方法研究进展
文献摘要：
ZnO是第三代宽禁带半导体的代表性材料之一,广泛应用于光电子领域.对ZnO进行选择性掺杂能够实现对其性能的调控与优化.对掺杂ZnO在光催化、太阳能电池与显示面板领域的应用进行了综述;重点介绍了掺杂元素的定性、定量表征方法,并系统分析了每种表征方法的优势和局限性;最后展望了ZnO掺杂技术与表征方法的发展前景.
文献关键词：
ZnO;掺杂;应用;表征方法
中图分类号：
作者姓名：
赵明;王俊萍;武慧敏;王辉;赵伟光;于晨
作者机构：
矿冶科技集团有限公司,北京 100160;矿物加工科学与技术国家重点实验室,北京 102628;中国石油大学(华东),山东 青岛 266580
文献出处：
引用格式：
[1]赵明;王俊萍;武慧敏;王辉;赵伟光;于晨-.掺杂ZnO应用领域与表征方法研究进展)[J].中国无机分析化学,2022(03):75-80
A类：
B类：
ZnO,第三代,宽禁带半导体,光电子,调控与优化,光催化,太阳能电池,显示面板,掺杂元素,定量表征方法,杂技
AB值：
0.323787
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