典型文献
疏干水回用反渗透膜元件污染成因分析
文献摘要：
针对某煤电厂疏干水回用反渗透系统在运行过程中出现进水压力增大,产水量和脱盐率明显衰减问题,分别对进水端首支和浓水端末支膜元件进行物理外观检查和标准性能测试.结果表明,受测的2支膜元件外观良好,未发生物理泄漏现象,但产水量和脱盐率较新膜元件大幅下降.解剖后膜片表面完整且未发生氧化现象,目视无明显污染物.利用扫描电镜-能谱仪(SEM-EDS)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、X射线衍射仪(XRD)和电感耦合等离子发射光谱仪(ICP)、总有机碳分析仪(TOC)等对反渗透系统进水水质、膜片表面进行表征,测出进水中硅质量浓度较高,膜片表面主要是氧化硅污染,需对进水预处理工艺做出调整,并及时对反渗透系统进行化学清洗,恢复到初始压差.
文献关键词：
疏干水回用;反渗透膜元件;膜污染;进水水质
中图分类号：
作者姓名：
刘静;曾兴宇;宋杰;张梦;徐显;吴非洋;潘献辉
作者机构：
自然资源部天津海水淡化与综合利用研究所,天津 300192
文献出处：
引用格式：
[1]刘静;曾兴宇;宋杰;张梦;徐显;吴非洋;潘献辉-.疏干水回用反渗透膜元件污染成因分析)[J].化学工程,2022(06):6-11
A类：
疏干水回用
B类：
反渗透膜元件,污染成因,成因分析,煤电,反渗透系统,进水压力,产水量,脱盐率,水端,首支,浓水,物理外观,外观检查,检查和,泄漏现象,膜片,目视,能谱仪,EDS,傅里叶红外光谱,红外光谱仪,FTIR,电感耦合等离子发射光谱仪,ICP,总有机碳分析仪,TOC,进水水质,出进,硅质,氧化硅,预处理工艺,出调,化学清洗,压差,膜污染
AB值：
0.299114
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