典型文献
氮化硼纳米片尺寸对BNNSs/P(VDF-HFP)复合薄膜介电性能的影响
文献摘要：
通过球磨法制备了两种不同片径的氮化硼纳米片(BNNSs),并采用溶液刮膜的方式制备了BNNSs与聚(偏氟乙烯-六氟丙烯)(P(VDF-HFP))的复合薄膜BNNSs/P(VDF-HFP).通过介质耐压测试仪与宽频电介质谱仪测试了复合薄膜的击穿强度和介电常数,揭示了BNNSs的片径对复合薄膜介电性能的影响.结果表明:大片径纳米片的晶格结构更完善且在P(VDF-HFP)中的取向度更高,在复合薄膜中能形成更完善的绝缘网络,从而能有效阻止复合薄膜发生电导及电力学击穿;与小片径纳米片复合薄膜相比,大片径纳米片复合薄膜具有更高的击穿强度.
文献关键词：
氮化硼纳米片;击穿强度;能量密度
中图分类号：
作者姓名：
吴玲玉;蔡凡一;罗念;周柏杰;陈枫
作者机构：
四川大学高分子科学与工程学院, 成都 610065;国家电网南瑞集团有限公司, 南京 211106
文献出处：
引用格式：
[1]吴玲玉;蔡凡一;罗念;周柏杰;陈枫-.氮化硼纳米片尺寸对BNNSs/P(VDF-HFP)复合薄膜介电性能的影响)[J].功能高分子学报,2022(04):349-356
A类：
B类：
氮化硼纳米片,BNNSs,VDF,HFP,复合薄膜,介电性能,球磨法,氟乙,六氟丙烯,介质耐压,压测,测试仪,宽频,电介质,质谱仪,击穿强度,介电常数,大片,晶格结构,取向度,绝缘,电力学,小片,能量密度
AB值：
0.289287
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