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通过高长宽比横向结构的设计提升基于Ge2Sb2Te5材料的相变存储器的多值存储能力
文献摘要：
如何进一步提高存储密度是相变存储(PCM)应用于存储级内存(SCM)的关键挑战.然而,相变存储器主要通过尺寸微缩和多值操作来提高存储密度,往往面临严重的热串扰和相分离问题.为此,我们提出了一种高长宽比(25∶1)的横向纳米线器件,该器件采用传统的硫系化合物Ge2Sb2Te5就可以实现稳定的多值操作,并且器件具有较好的一致性以及较低的电阻漂移系数(0.009),其优异的多值性能主要是由于在设计的高长宽比结构中,绝缘层侧壁的限制使得相变材料的非晶区域可以精确控制,这也被透射电子显微镜分析证实.本文设计的纳米线器件为提升高深宽比三维相变存储器的多值存储能力提供了重要指导.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
赵锐哲;何明泽;王伦;陈子琪;程晓敏;童浩;缪向水
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引用格式：
[1]赵锐哲;何明泽;王伦;陈子琪;程晓敏;童浩;缪向水-.通过高长宽比横向结构的设计提升基于Ge2Sb2Te5材料的相变存储器的多值存储能力)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(10):2818-2825
A类：
B类：
高长宽比,Ge2Sb2Te5,相变存储器,多值存储,存储密度,PCM,SCM,关键挑战,微缩,串扰,相分离,纳米线,漂移,绝缘层,侧壁,相变材料,非晶,精确控制,透射电子显微镜,显微镜分析,高深宽比
AB值：
0.306671
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