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通过微量锰掺杂直接合成体超导的Fe(Te,Se)单晶
文献摘要：
无砷的铁硒基超导体Fe(Te,Se)在高场应用方面具有广阔的前景,但至今仍缺乏制备体超导块材的有效方法.本文通过微量的Mn掺杂,一步法直接合成了无间隙铁的厘米尺寸高性能体超导单晶.通过电阻、磁化率与比热表征,发现Mn掺杂浓度为1％时,样品具有最好的体超导电性,且上临界场和临界电流密度相比未掺杂时显著提高.最佳掺杂样品在2 K时自场下的临界电流密度高达4.5×105 A cm-2,且在高场下衰减很小.利用扫描隧道显微镜观测,证实了微量锰掺杂有效消除了层间的间隙铁原子.本工作首次提供了一种大规模制备高性能Fe(Te,Se)超导块材的实用方法,为其未来高场应用奠定了基础.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
谷亚东;周孟虎;张孟迪;吴彦伟;阮彬彬;侯兴元;张凡;江培杰;杨清松;李更;马明伟;陈根富;单磊;任治安
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引用格式：
[1]谷亚东;周孟虎;张孟迪;吴彦伟;阮彬彬;侯兴元;张凡;江培杰;杨清松;李更;马明伟;陈根富;单磊;任治安-.通过微量锰掺杂直接合成体超导的Fe(Te,Se)单晶)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(09):2472-2478
A类：
B类：
锰掺杂,直接合成,合成体,Te,Se,单晶,超导体,Mn,一步法,无间隙,厘米,米尺,磁化率,比热,热表,掺杂浓度,超导电性,上临界,临界电流密度,杂样,自场,场下,密度高,扫描隧道显微镜,模制,实用方法
AB值：
0.384853
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