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硫掺杂SnS2-SnO2纳米异质结镶嵌的C3N4多孔纳米片提高电荷转移和光催化还原CO2性能
文献摘要：
结合了多孔纳米片和异质结优点的二维多孔纳米片异质结构材料预计能在CO2光催化还原为燃料过程中表现出优异的性能.本文中,我们提出了一种简便的合成方案,即通过液体浸渍-热解和后续的硫化处理,将层状结构的超分子前驱体转变成C3N4,形成了硫掺杂的原位嵌入的SnO2-SnS2纳米异质结C3N4多孔纳米片(S-C3N4/SnO2-SnS2).在这项研究中,硫掺杂的C3N4多孔纳米片的剥离和SnO2-SnS2纳米异质结同时获得.SnO2-SnS2纳米异质结的硫掺杂C3N4多孔纳米片具有丰富的活性位点、增强的可见光吸收能力和界面电荷转移效率.正如预期,与C3N4,C3N4/SnO2和S-C3N4/SnS2光催化剂相比,优化的S-C3N4/SnO2-SnS2具有更高的气相光催化还原CO2性能,CO产率(21.68 μmol g-1 h-1)和CH4产率(22.09 μ.tmol g-1 h-1)显著提高.CH4的选择性可达80.30％.这种合成策略有望推动其他C3N4基多孔纳米片异质结构的研究,以实现更广泛的应用.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
陈曦;陈亚杰;刘秀;王琦;李茏格;杜立志;田国辉
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[1]陈曦;陈亚杰;刘秀;王琦;李茏格;杜立志;田国辉-.硫掺杂SnS2-SnO2纳米异质结镶嵌的C3N4多孔纳米片提高电荷转移和光催化还原CO2性能)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(02):400-412
A类：
tmol
B类：
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AB值：
0.212592
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