典型文献
激光辅助MicroLED巨量转移技术进展
文献摘要：
巨量转移是将几百万甚至上千万颗微米尺度的MicroLED芯片从源基板精准转移到显示基板上的制造技术,在转移良率、精度和速率等方面存在诸多挑战,成为制约新一代显示产品的技术瓶颈.基于激光-材料界面的相互作用已经发展了多种激光辅助转移技术,该种技术具有对器件损伤小、高度可选择性、响应快速高效等优势,目前成为极具潜力的巨量转移解决方案.本文首先介绍了巨量转移目前的技术实现方式和技术难点,随后评述了基于激光辅助的超薄微器件转移技术的最新进展,包括激光辅助的基本原理、转移工艺过程和目前达到的技术水平,最后探讨了在MicroLED芯片巨量转移领域的发展前景及挑战.
文献关键词：
微型发光二极管;巨量转移;激光辅助转移;激光剥离;动态释放层
中图分类号：
作者姓名：
孙宁宁;杨彪;陈福荣;胡金龙;余海洋;卞敬;段永青;黄永安
作者机构：
华中科技大学机械科学与工程学院,数字制造装备与技术国家重点实验室,武汉430074
文献出处：
引用格式：
[1]孙宁宁;杨彪;陈福荣;胡金龙;余海洋;卞敬;段永青;黄永安-.激光辅助MicroLED巨量转移技术进展)[J].中国科学（技术科学）,2022(04):513-528
A类：
MicroLED,千万颗,激光辅助转移,动态释放层
B类：
巨量转移,技术进展,几百万,上千,微米尺度,基板,制造技术,良率,和速率,技术瓶颈,该种,可选择性,快速高效,移解,实现方式,技术难点,超薄,最新进展,工艺过程,微型发光二极管,激光剥离
AB值：
0.230622
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
