典型文献
基于0.35 μm BiCMOS控制器的DC/DC变换器瞬时电离剂量率效应研究
文献摘要：
利用脉冲激光源,对一种采用0.35 μm BiCMOS工艺PWM控制器作为控制核心的DC/DC变换器的瞬时电离剂量率效应进行研究.采用光斑直径为10 mm、波长为1 064 nm、脉宽为10 ns、能量从3 μJ到2 400 μJ的激光对DC/DC变换器进行照射试验,监测DC/DC变换器在不同能量激光下的响应,并与脉冲γ射线的试验结果进行对比分析.试验结果表明,该DC/DC变换器在能量3 μJ到577μJ激光照射下输出扰动时间约为4.3 ms,输出闭锁阈值在1 031μJ左右.
文献关键词：
脉冲激光;PWM控制器;DC/DC变换器;瞬时电离效应
中图分类号：
作者姓名：
程铭;邹华昌;张纯亚;罗丁
作者机构：
中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]程铭;邹华昌;张纯亚;罗丁-.基于0.35 μm BiCMOS控制器的DC/DC变换器瞬时电离剂量率效应研究)[J].微电子学,2022(06):1039-1043
A类：
瞬时电离效应
B类：
BiCMOS,DC,变换器,剂量率效应,脉冲激光,激光源,PWM,光斑直径,脉宽,ns,行照,激光照射,射下,输出扰动,ms,闭锁
AB值：
0.284905
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