典型文献
适用于高频开关芯片的快速瞬态响应LDO设计
文献摘要：
设计了一种片外大电容快速瞬态响应低压差线性稳压器.该LDO电路基于跨导线性结构设计,在输出级引入推挽结构,有效地减小过冲的幅值和恢复时间,提高了LDO的瞬态响应速度;利用浮动缓冲器驱动功率管,有效地提高了LDO的电流效率;采用动态零点补偿技术,保证了 LDO在全负载范围内的环路稳定性.该LDO电路基于0.35μmBCD工艺设计与仿真验证.结果表明,在1.2 V～3 V输入电压范围,LDO的输出电压为1 V,静态电流约为50 μA,可提供0～300 mA的负载.在上升下降沿为500 ns、幅度为300 mA、轻载持续时间为50μs的负载瞬态跳变下,过冲和下冲均小于20 mV.电路满足高频负载跳变的应用需求.
文献关键词：
片外大电容LDO;快速瞬态响应;过冲恢复;高频负载跳变
中图分类号：
作者姓名：
毛帅;张杰;明鑫;张波
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院,重庆401331
文献出处：
引用格式：
[1]毛帅;张杰;明鑫;张波-.适用于高频开关芯片的快速瞬态响应LDO设计)[J].微电子学,2022(06):974-980
A类：
高频负载跳变,过冲恢复
B类：
快速瞬态响应,LDO,低压差线性稳压器,路基,导线,线性结构,推挽结构,恢复时间,响应速度,浮动,缓冲器,驱动功率,功率管,电流效率,零点,补偿技术,负载范围,环路稳定性,mBCD,工艺设计与仿真验证,输入电压,输出电压,静态电流,mA,ns,轻载,负载瞬态,变下,下冲,mV,应用需求
AB值：
0.362404
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