典型文献
氧氩比对镓掺杂氧化锌薄膜晶体管性能的影响
文献摘要：
在室温条件下使用射频磁控溅射设备在100 nm热氧化SiO2上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,并制备成薄膜晶体管器件.研究薄膜沉积过程中氧氩比对GZO薄膜及器件的影响.使用紫外可见分光光度计表征薄膜的光学特性,通过扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌.实验结果表明,不同氧氩比条件沉积的GZO薄膜在可见光区的平均透过率均在90％以上.合适的氧氩比可以降低氧空位缺陷,使薄膜的陷阱态密度最小,当氧氩比为10:90时GZO器件的电学性能达到最佳,迁移率为0.82 cm2/Vs,阈值电压为5.01 V,亚阈值摆幅为2.51 V/dec,开关电流比达到1.27×107.
文献关键词：
GZO;薄膜晶体管;氧氩比;磁控溅射
中图分类号：
作者姓名：
孟冰;高晓红;孙玉轩;王森
作者机构：
吉林建筑大学 电气与计算机学院,长春 130118
文献出处：
引用格式：
[1]孟冰;高晓红;孙玉轩;王森-.氧氩比对镓掺杂氧化锌薄膜晶体管性能的影响)[J].吉林建筑大学学报,2022(03):73-78
A类：
氧氩比
B类：
镓掺杂,氧化锌薄膜,薄膜晶体管,射频磁控溅射,热氧化,SiO2,GZO,薄膜沉积,沉积过程,紫外可见分光光度计,光学特性,原子力显微镜,AFM,表面形貌,可见光,透过率,低氧,氧空位缺陷,陷阱,态密度,电学性能,达到最佳,迁移率,Vs,阈值电压,亚阈值摆幅,dec,开关电流比,比达
AB值：
0.312133
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