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沉积条件对化学气相沉积SiC涂层沉积速率的影响
文献摘要：
通过计算流体力学(CFD)仿真软件对大长径比(长度为2250 mm,直径为280 mm)的立式化学气相沉积炉进行有限元建模,仿真分析反应温度、载气H2流量、炉压和基体数量等不同工艺条件对化学气相沉积法(CVD)制备碳化硅(SiC)涂层沉积速率和沉积均匀性的影响.研究结果表明:当反应温度为900～1150℃时,随着温度升高,SiC涂层沉积速率也随之增大;当反应温度为1200～1350℃时,随着温度升高,SiC涂层沉积速率反而降低;当反应温度小于1200℃时,SiC涂层沉积较均匀;当反应温度高于1200℃时,沉积均匀性变得较差;随着炉压增大,SiC涂层沉积速率逐渐降低,均匀性也逐渐变差;随载气H2流量增加,SiC涂层沉积速率逐渐增大,在载气H2流量为1000～1200 mL/min的条件下,SiC涂层沉积比较均匀;随着基体数量增多,SiC涂层沉积速率逐渐降低,且沉积均匀性变差.CVD SiC实验对比验证了有限模型的可靠性.
文献关键词：
化学气相沉积;碳化硅涂层;沉积速率;有限元仿真
中图分类号：
作者姓名：
徐振男;张立强;陈招科;霍皓灵;张浩然
作者机构：
中南林业科技大学机电工程学院,湖南长沙,410004;中南大学粉末冶金国家重点实验室,湖南长沙,410083
文献出处：
引用格式：
[1]徐振男;张立强;陈招科;霍皓灵;张浩然-.沉积条件对化学气相沉积SiC涂层沉积速率的影响)[J].中南大学学报（自然科学版）,2022(07):2467-2475
A类：
B类：
沉积条件,SiC,沉积速率,计算流体力学,CFD,大长径比,立式,有限元建模,反应温度,载气,H2,炉压,不同工艺,工艺条件,化学气相沉积法,CVD,温度高,实验对比,对比验证,碳化硅涂层,有限元仿真
AB值：
0.202839
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