典型文献
摆率增强的高瞬态响应无片外电容线性稳压器
文献摘要：
针对无片外电容低压差线性稳压器瞬态响应差的问题,本文提出了一种摆率增强电路,该设计采用了动态密勒补偿技术,使得低压差线性稳压器有良好的环路稳定性.本文基于SilTerra公司的标准0.18μm的CMOS工艺,通过最终的仿真,该设计的低压差线性稳压器在负载电流20 mA～200μA的瞬态变化下过冲电压仅有80 mV,恢复时间0.5μs,线性调整率与负载调整率的最大值分别为0.036％、6.4％.降低了低压差线性稳压器输出的过冲电压以及恢复时间,实现了具有高瞬态响应的无片外电容低压差线性稳压器.
文献关键词：
瞬态响应;无片外电容;低压差线性稳压器;摆率增强;动态米勒补偿;过冲电压;调整率;恢复时间
中图分类号：
作者姓名：
刘云涛;王博涛;方硕;王云;郑鲲鲲
作者机构：
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院,黑龙江哈尔滨 150001;先进船舶通信与信息技术工业和信息化部重点实验室,黑龙江哈尔滨 150001;广东省大湾区集成电路与系统应用研究院,广东广州 510535
文献出处：
引用格式：
[1]刘云涛;王博涛;方硕;王云;郑鲲鲲-.摆率增强的高瞬态响应无片外电容线性稳压器)[J].哈尔滨工程大学学报,2022(08):1186-1191
A类：
摆率增强电路,SilTerra,动态米勒补偿
B类：
瞬态响应,无片外电容低压差线性稳压器,密勒补偿,补偿技术,环路稳定性,CMOS,负载电流,mA,瞬态变化,下过,过冲电压,mV,恢复时间,线性调整率,负载调整率
AB值：
0.143446
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
