典型文献
DLC(P)/c-Si(n)/c-Si(n+)异质结太阳能电池的数值模拟
文献摘要：
类金刚石(DLC)薄膜因其硬度高、禁带宽度可调和抗辐射性好等优点成为空间太阳能电池研究的热点材料之一.采用AFORS-HET v2.5,在AM1.5、功率密度100 mW/cm2的太阳光辐照条件下模拟DLC(P)/c-Si(n)/c-Si(n+)异质结太阳能电池的性能.通过改变P型DLC层和n型单晶硅层参数,得到太阳能电池输出性能的变化规律,并解释了性能变化的内在原因,为DLC异质结太阳能电池的性能优化提供了参考与指导.模拟结果表明:该结构太阳能电池的转换效率超过20.07％(开路电压为695.5 mV,短路电流密度为35.11 mA/cm2,填充因子为80.56％).同时研究了DLC(P)/c-Si(n)界面缺陷密度对DLC(P)/c-Si(n)/c-Si(n+)异质结太阳能电池的影响,发现降低界面缺陷密度可以有效提高太阳能电池的性能.
文献关键词：
AFORS-HET模拟;类金刚石膜;异质结;太阳能电池
中图分类号：
作者姓名：
熊文文;何嵩;陈朝
作者机构：
厦门大学能源学院,福建 厦门 361102
文献出处：
引用格式：
[1]熊文文;何嵩;陈朝-.DLC(P)/c-Si(n)/c-Si(n+)异质结太阳能电池的数值模拟)[J].厦门大学学报（自然科学版）,2022(01):49-57
A类：
B类：
DLC,Si,n+,异质结太阳能电池,禁带宽度,抗辐射性,AFORS,HET,v2,AM1,功率密度,mW,太阳光,辐照,单晶硅,输出性能,性能变化,内在原因,性能优化,转换效率,开路电压,mV,短路电流密度,mA,填充因子,界面缺陷,缺陷密度,类金刚石膜
AB值：
0.29262
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