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3类由第三/五主族重元素形成化合物中的Ga-E(E=P,As,Sb)键性质
文献摘要：
采用量子化学计算方法对3类由第三/五主族重元素形成化合物中的Ga-E(E=P,As,Sb)键进行了研究.结果表明,类型Ⅰ中的2类Ga-E键均为o单键,类型Ⅱ中的Ga-E键属于双键,包含1个σ键和1个π键;类型Ⅲ中的Gal-E键是σ单键,Ga2-E键是双键.类型Ⅰ中的Ga-E键强度弱于类型Ⅱ和类型Ⅲ中的Ga-E键;在同类型的化合物中,Ga-E键按E=P,As,Sb的顺序逐渐减弱.电子密度拓扑分析和自然键轨道分析均显示,Ga-E单键为普通共价键,Ga-E双键为给体-受体键,其中Ga为电子受体,E为电子给体.类型Ⅱ和类型Ⅲ中的Ga原子接受电子的能力更强.研究结果有助于深入理解此类化合物的性质,能够为更好地利用此类化合物提供理论依据.
文献关键词：
给体-受体键;含镓磷键化合物;密度泛函理论;量子化学计算
中图分类号：
作者姓名：
钟雨芙;万世昌;李晓艳
作者机构：
河北师范大学化学与材料科学学院,河北石家庄 050024
文献出处：
引用格式：
[1]钟雨芙;万世昌;李晓艳-.3类由第三/五主族重元素形成化合物中的Ga-E(E=P,As,Sb)键性质)[J].河北师范大学学报（自然科学版）,2022(05):482-487
A类：
含镓磷键化合物
B类：
主族,重元素,Sb,量子化学计算,单键,双键,Gal,Ga2,电子密度拓扑分析,通共,共价键,给体,电子受体,类化合物,密度泛函理论
AB值：
0.23574
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