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基于纳米钴/聚L-半胱氨酸的抗坏血酸电化学传感器的制备与研究
文献摘要：
本文使用电化学沉积和电化学聚合的方法,将纳米钴(Nano-Co)和L-半胱氨酸(L-Cys)修饰于玻碳电极(GCE)表面,制备了一种简便、高效的抗坏血酸电化学传感器.采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)对修饰电极进行电化学表征.考察了抗坏血酸在该传感器上的电化学行为,并对实验条件进行了优化.在最佳条件下,抗坏血酸在4.04×10-6～5.03×10-4mol·L-1浓度范围内与峰电流值呈良好的线性关系(R2=0.9953),检出限为1.13×10-6mol·L-1,加标回收率在96.2％～101.5％之间.该方法可用于对抗坏血酸含量的测定,结果令人满意.
文献关键词：
钴纳米;L-半胱氨酸;抗坏血酸;电化学传感器
中图分类号：
作者姓名：
黄宝美;郭俊春;蒲黎;胡卿珍
作者机构：
绵阳师范学院化工学院,四川 绵阳 621000
文献出处：
引用格式：
[1]黄宝美;郭俊春;蒲黎;胡卿珍-.基于纳米钴/聚L-半胱氨酸的抗坏血酸电化学传感器的制备与研究)[J].化学研究与应用,2022(05):974-978
A类：
B类：
抗坏血酸,电化学传感器,电化学沉积,电化学聚合,Nano,Co,Cys,玻碳电极,GCE,循环伏安法,CV,修饰电极,电化学表征,电化学行为,实验条件,最佳条件,4mol,峰电流,电流值,检出限,6mol,加标回收率,酸含量,令人满意,钴纳米
AB值：
0.294164
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