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低频脉冲磁场中磁屏蔽体磁饱和效应的试验研究
文献摘要：
针对磁屏蔽体在低频脉冲磁场环境中可能存在的磁饱和问题,利用试验方法开展了磁饱和效应研究,证实了常规工程屏蔽体可在低频脉冲磁场环境中达到磁饱和状态,并通过观测屏蔽效能的变化获得了磁饱和规律,同时分析了磁饱和效应对屏蔽效能的影响及其与屏蔽体的材料磁导率、壳体厚度、外形尺寸等参数的关系.研究表明:磁屏蔽体屏蔽效能在磁饱和效应影响下,呈现出明显的动态变化特点,具有与屏蔽壳体磁导率类似的变化趋势;壳体厚度2 mm以内、长宽高为2 m×2 m×2 m左右的屏蔽体在上升时间为300)is、持续时间为1.2 ms的磁场环境中,达到磁饱和状态的磁化场强度约为10 mT,其磁饱和难易程度与磁导率及外形尺寸负相关,与壳体厚度正相关.试验研究结果与理论分析结论一致,可为磁屏蔽体的科学合理设计提供参考,具有较高的工程应用价值.
文献关键词：
低频脉冲磁场;磁屏蔽体;磁饱和效应;试验研究
中图分类号：
作者姓名：
潘征;李跃波;熊久良;石立华;闫民华
作者机构：
军事科学院国防工程研究院工程防护研究所,洛阳471000;陆军工程大学电磁环境效应与电光工程国家重点实验室,南京210007
文献出处：
引用格式：
[1]潘征;李跃波;熊久良;石立华;闫民华-.低频脉冲磁场中磁屏蔽体磁饱和效应的试验研究)[J].电波科学学报,2022(03):380-387
A类：
低频脉冲磁场,磁屏蔽体
B类：
磁饱和效应,磁场环境,中达,饱和状态,屏蔽效能,磁导率,壳体,外形尺寸,变化特点,长宽,上升时间,is,ms,磁化,场强,mT,难易程度,合理设计
AB值：
0.115105
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