典型文献
Ni膜厚度对4 H-SiC欧姆接触特性的影响
文献摘要：
碳化硅(SiC)作为第三代半导体,具有宽禁带、高临界场强、高热导率、耐高温、耐腐蚀等优良性能,然而,良好的欧姆接触是制造SiC器件必不可少的条件.目前,关于SiC欧姆接触的研究还不成熟,报道较多的是金属材料镍(Ni),但有待更加深入的研究.本文选用金属Ni作为SiC的欧姆接触材料,通过磁控溅射工艺在SiC表面沉积不同厚度的Ni膜,并将样品在1000℃的真空环境下退火2 min,研究了不同膜厚时的微观形貌和欧姆接触特性的变化.
文献关键词：
碳化硅;镍膜;厚度;退火;比接触电阻
中图分类号：
作者姓名：
王博;程萍
作者机构：
上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系,上海200240
文献出处：
引用格式：
[1]王博;程萍-.Ni膜厚度对4 H-SiC欧姆接触特性的影响)[J].传感器与微系统,2022(12):26-28
A类：
临界场强,镍膜
B类：
膜厚度,SiC,欧姆接触,接触特性,碳化硅,第三代半导体,禁带,高热,热导率,耐高温,耐腐蚀,优良性,金属材料,接触材料,磁控溅射,射工,真空环境,退火,微观形貌,比接触电阻
AB值：
0.289757
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